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Article cité :

Nature cristallo-physico-chimique de l'interface entre un semiconducteur et son oxyde propre. I. — Etudes expérimentales des semiconducteurs des groupes A4 et A3 B5

O.V. Romanov

Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 5 (1984) 379-388

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001905037900

Citations de cet article :

Miniaturization of potentiometric sensors using porous silicon microtechnology

M.J. Schöning, F. Ronkel, M. Crott, et al.
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Electrolytic Growth and Dissolution of Oxide Layers on Silicon in Aqueous Solutions of Fluorides

H. Genscher and M. Lübke
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Effects of Anodic Polarization Upon Electrochemically Grown Oxide Films on p‐Si, Studied by Ellipsometric and Capacitance Measurements

J. J. Mercier, F. Fransen, F. Cardon, M. J. Madou and W. P. Gomes
Berichte der Bunsengesellschaft für physikalische Chemie 89 (2) 117 (1985)
https://doi.org/10.1002/bbpc.19850890207