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Article cité :

Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état passant des transistors moyennes tensions VDMOS de puissance

J.L. Sanchez, H. Tranduc, T. Phan Pham, M. Gharbi, P. Rossel, G. Charitat, B. Vertongen

Rev. Phys. Appl. (Paris), 20 11 (1985) 759-770

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019850020011075900

Citations de cet article :

Power MOS devices: Structure evolutions and modelling approaches

P. Rossel, H. Tranduc and G. Charitat
Microelectronics Reliability 37 (9) 1375 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0026-2714(97)00009-7

P. Rossel, H. Tranduc and G. Charitat
1 341 (1995)
https://doi.org/10.1109/ICMEL.1995.500891

Improvement of the ON resistance of power VDMOS devices by surface doping: effect on the breakdown voltage

G. Charitat, H. Tranduc, P. Granadel and P. Rossel
Microelectronics Journal 21 (6) 21 (1990)
https://doi.org/10.1016/0026-2692(90)90032-X