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Article cité :

Conséquences d'une injection tunnel Fowler-Nordheim dans des structures MOS à oxyde mince

B. Balland, C. Plossu, S. Bardy, P. Pinard

Rev. Phys. Appl. (Paris), 20 4 (1985) 225-234

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002004022500

Citations de cet article :

Nitridation of SiO2 thin films at low ammonia pressures: Composition and electrical properties

B. Balland, A. Glachant, J.C. Bureau and C. Plossu
Thin Solid Films 190 (1) 103 (1990)
https://doi.org/10.1016/0040-6090(90)90133-X

Non-uniformité de la distribution spatiale des états de surface dans le canal des transistors CMOS

B. Balland, C. Plossu, C. Choquet, V. Lubowiecki and J.L. Ledys
Revue de Physique Appliquée 23 (11) 1837 (1988)
https://doi.org/10.1051/rphysap:0198800230110183700

Charge generation in thin SiO2 polysilicon-gate MOS capacitors

P. Fazan, M. Dutoit, C. Martin and M. Ilegems
Solid-State Electronics 30 (8) 829 (1987)
https://doi.org/10.1016/0038-1101(87)90008-6

Sign of the charge accumulated in thermal SiO2 films of silicon MIS structures under high electric field condition

I. P. Mikhailovskii, P. B. Potapov and A. E. Epov
physica status solidi (a) 94 (2) 679 (1986)
https://doi.org/10.1002/pssa.2210940232