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Article cité :

Influence of thin inversion layers on Schottky diodes

K.K. Sharma

Rev. Phys. Appl. (Paris), 21 1 (1986) 25-33

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198600210102500

Citations de cet article :

First-principles theory for Schottky barrier physics

Dmitry Skachkov, Shuang-Long Liu, Yan Wang, Xiao-Guang Zhang and Hai-Ping Cheng
Physical Review B 104 (4) (2021)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.104.045429

Numerical simulation study of current–voltage characteristics of a Schottky diode with inverse doped surface layer

Subhash Chand, Priyanka Kaushal and Jozef Osvald
Materials Science in Semiconductor Processing 16 (2) 454 (2013)
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2012.08.002