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Article cité :

Caractérisation électrique des interfaces métal-semiconducteur

C. Barret, G.N. Lu, T. Neffati

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DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220110148500

Citations de cet article :

Surface defects related to polishing cycle in ß-Ga2O3 crystals grown by floating zone

Coralie Perrier, Aboulaye Traoré, Toshimitsu Ito, et al.
Applied Physics Letters 122 (22) (2023)
https://doi.org/10.1063/5.0149969

Admittance of Al/GaAs Schottky contacts under forward bias as a function of interface preparation conditions

P. Muret, D. Elguennouni, M. Missous and E. H. Rhoderick
Applied Physics Letters 58 (2) 155 (1991)
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Calculation of semiconductor band bending due to a superficial zone including electronic states: Application to Schottky diodes

J.M. Palau and M. Dumas
Thin Solid Films 191 (1) 21 (1990)
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Effect of inside-spread surface states on Fermi level pinning

J.M Palau and M Dumas
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Consequences of spatial distributions of the interface states on the Schottky barrier

G.N. Lu, C. Barret and T. Neffati
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Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé

M. Benkacem, M. Dumas, J.M. Palau and L. Lassabatère
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Caractérisation électronique d'interfaces profondes Al-InP

C. Barret, F. Vergand, H. Maaref, C. Sénémaud and C. Bonnelle
Revue de Physique Appliquée 24 (4) 439 (1989)
https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002404043900