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Article cité :

Monte Carlo simulation of electron transport in narrow gap heterostructures

Jean-Luc Thobel, Olivier Bonno, François Dessenne and Hervé Boutry
Journal of Applied Physics 92 (9) 5286 (2002)
https://doi.org/10.1063/1.1511820

Towards the Monte Carlo simulation of resonant tunnelling diodes using time-dependent wavepackets and Bohm trajectories

X Oriols, J J García-García, F Martín, et al.
Semiconductor Science and Technology 14 (6) 532 (1999)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/14/6/308

Monte Carlo study of diffusion phenomena in III - V modulation doped heterostructures

A Sleiman, J L Thobel, P Bourel, F Dessenne and R Fauquembergue
Semiconductor Science and Technology 12 (1) 69 (1997)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/12/1/014

Monte Carlo study of electron transport in III–V heterostructures with doped quantum wells

J. L. Thobel, A. Sleiman, P. Bourel, F. Dessenne and L. Baudry
Journal of Applied Physics 80 (2) 928 (1996)
https://doi.org/10.1063/1.362903

Monte Carlo modeling of high-field transport in III-V heterostructures

J. L. Thobel, L. Baudry, P. Bourel, F. Dessenne and M. Charef
Journal of Applied Physics 74 (10) 6274 (1993)
https://doi.org/10.1063/1.355145

PARTICLE SIMULATION OF BIDIMENSIONAL ELECTRON TRANSPORT PARALLEL TO A HETEROJUNCTION INTERFACE

P. DEGOND, F. DELAURENS, F.J. MUSTIELES and F. NIER
COMPEL - The international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering 9 (2) 109 (1990)
https://doi.org/10.1108/eb010068