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Article cité :

Comportement dynamique des lasers semiconducteurs en régime de modulation directe

E. Hemery, J.-M. Lourtioz

Rev. Phys. Appl. (Paris), 22 11 (1987) 1571-1580

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220110157100

Citations de cet article :

Dynamic behaviors of semiconductor lasers under strong sinusoidal current modulation: modeling and experiments at 1.3 mu m

E. Hemery, L. Chusseau and J.-M. Lourtioz
IEEE Journal of Quantum Electronics 26 (4) 633 (1990)
https://doi.org/10.1109/3.53379

Diodes lasers en régime de forte modulation sinusoïdale de courant : modélisation et expériences â 1,3 µm

Eric Hemery, Laurent Chusseau and Jean-Michel Lourtioz
Annales Des Télécommunications 44 (3-4) 124 (1989)
https://doi.org/10.1007/BF02997805

Period doubling in directly modulated InGaAsP semiconductor lasers

Laurent Chusseau, Eric Hemery and Jean-Michel Lourtioz
Applied Physics Letters 55 (9) 822 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.101770