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Investigation of hydrogen effect on phosphorus-doped polysilicon thin films

Meryem Mekhalfa, Beddiaf Zaidi, Bouzid Hadjoudja, Baghdadi Chouial and Allaoua Chibani
Surface Engineering 36 (1) 29 (2020)
https://doi.org/10.1080/02670844.2018.1536377

3D modelling of magnetic field and light concentration effects on a bifacial silicon solar cell illuminated by its rear side

M Zoungrana, I Zerbo, F Ouédraogo, B Zouma and F Zougmoré
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 29 012020 (2012)
https://doi.org/10.1088/1757-899X/29/1/012020

Dopant activation and Hall mobility in B- and As-implanted polysilicon films after rapid or conventional thermal annealing

P Jeanjean, P Sellitto, J Sicart, et al.
Semiconductor Science and Technology 6 (12) 1130 (1991)
https://doi.org/10.1088/0268-1242/6/12/005

Electrical properties of highly boron-implanted polycrystalline silicon after rapid or conventional thermal annealing

A. Almaggoussi, J. Sicart, J. L. Robert, G. Chaussemy and A. Laugier
Journal of Applied Physics 66 (9) 4301 (1989)
https://doi.org/10.1063/1.343975