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Review on ultrahigh growth rate GaAs solar cells by metalorganic vapor-phase epitaxy

Robin Lang, Christoph Klein, Jens Ohlmann, Frank Dimroth and David Lackner
Journal of Vacuum Science & Technology A 42 (2) (2024)
https://doi.org/10.1116/6.0003393

Capacitance–voltage and current–voltage characteristics for the study of high background doping and conduction mechanisms in GaAsN grown by chemical beam epitaxy

Boussairi Bouzazi, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita and Masafumi Yamaguchi
Journal of Alloys and Compounds 552 469 (2013)
https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2012.11.007

Native defects in gallium arsenide

J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben and D. Stiévenard
Journal of Applied Physics 64 (9) R65 (1988)
https://doi.org/10.1063/1.341206