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Article cité :

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

F. Heliodore, G. Salmer, Y. Druelle, M. Lefebvre, O. El Sayed

Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 7 (1988) 1185-1198

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023070118500

Citations de cet article :

Modeling of the gate junction in GaAs MESFETs

N. G. Tarnovskii, V. S. Osadchuk and A. V. Osadchuk
Russian Microelectronics 29 (4) 279 (2000)
https://doi.org/10.1007/BF02773276