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Article cité :

Composés métalliques de nickel et gallium sur GaAs par codéposition en ultravide

Y. Ballini, A. Guivarc'h, J. Caulet, A. Chomette, B. Le Merdy

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 1 (1989) 71-78

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198900240107100

Citations de cet article :

Adsorption in Sparse Networks

George W Scherer, Sylvie Calas and Robert Sempéré
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https://doi.org/10.1006/jcis.1998.5459

Epitaxial growth of lattice matched metallic ErP0.6As0.4 on (001) and (111) GaAs with a GSMBE system

A. Le Corre, B. Guenais, A. Guivarc'h, et al.
Journal of Crystal Growth 105 (1-4) 234 (1990)
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Growth of matched metallic ErP0.6As0.4 layers on GaAs in a molecular beam epitaxy system

A. Le Corre, J. Caulet and A. Guivarc’h
Applied Physics Letters 55 (22) 2298 (1989)
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Growth of Ni3Ga2, NiGa and Ni2Ga3 on GaAs (001) and (111) in a molecular beam epitaxy system

A. Guivarc'h, J. Caulet, B. Guenais, et al.
Journal of Crystal Growth 95 (1-4) 427 (1989)
https://doi.org/10.1016/0022-0248(89)90435-1