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Article cité :

Etude Monte-Carlo du transport dans un gaz d'électrons bidimensionnel dégénéré

M. Mouis, P. Dollfus, R. Castagné

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 2 (1989) 183-188

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002402018300

Citations de cet article :

Monte Carlo study of 2D electron gas transport including Pauli exclusion principle in highly doped silicon

F. Carosella, J. Saint‐Martin, A. Bournel, S. Galdin‐Retailleau and P. Dollfus
physica status solidi c 5 (1) 98 (2008)
https://doi.org/10.1002/pssc.200776524

Spatially resolved photoluminescence and electron-beam-induced current studies of a coincidence silicon bicrystal

R. Rizk, F. Cruege, R. Madelon and G. Nouet
Materials Science and Engineering: B 24 (1-3) 184 (1994)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(94)90324-7

Monte Carlo simulation of pseudomorphic InGaAs/GaAs high electron mobility transistors: Physical limitations at ultrashort gate length

P. Dollfus, C. Bru and P. Hesto
Journal of Applied Physics 73 (2) 804 (1993)
https://doi.org/10.1063/1.353341