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Article cité :

Caractérisation électronique d'interfaces profondes Al-InP

C. Barret, F. Vergand, H. Maaref, C. Sénémaud, C. Bonnelle

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 4 (1989) 439-446

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002404043900

Citations de cet article :

Instrument for research on interfaces and surfaces

C. Bonnelle, F. Vergand, P. Jonnard, J.-M. André, P. F. Staub, P. Avila, P. Chargelègue, M.-F. Fontaine, D. Laporte, P. Paquier, A. Ringuenet and B. Rodriguez
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Study of cleaved metal-InP (n) contacts

C. Barret and H. Maaref
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https://doi.org/10.1016/0038-1101(93)90010-N

Effect of inside-spread surface states on Fermi level pinning

J.M Palau and M Dumas
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https://doi.org/10.1016/0039-6028(90)90085-M

Calculation of semiconductor band bending due to a superficial zone including electronic states: Application to Schottky diodes

J.M. Palau and M. Dumas
Thin Solid Films 191 (1) 21 (1990)
https://doi.org/10.1016/0040-6090(90)90270-N