Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Mesure et modélisation du courant de fuite de grille en excès des FET InGaAs

P. Carer, E. Caquot, J.C. Renaud, L. Nguyen, A. Scavennec

Rev. Phys. Appl. (Paris), 25 5 (1990) 453-456

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002505045300

Citations de cet article :

System simulation: a tool to validate the insertion of optoelectronic devices into a 40 Gbit/s fiber-optic link

Christelle Aupetit-Berthelemot, Anne Dubois, Jean -Louis Verneuil and Jean -Michel Dumas
Annales Des Télécommunications 58 (9-10) 1504 (2003)
https://doi.org/10.1007/BF03001742

Output conductance dispersion and drain current transients in InP-HFETs: observations and equivalent circuit model

A. Gautier-Levine, S. Chevalier, G. Post and A. Scavennec
Solid-State Electronics 44 (9) 1563 (2000)
https://doi.org/10.1016/S0038-1101(00)00104-0

A. Gautier-Levine, S. Chevalier, G. Post and A. Scavennec
489 (2000)
https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2000.850340

C. Ladner, C. Berthelemot-Aupetit, J. Decobert, J.-C. Harmand, G. Post, P. Vigier and J.-M. Dumas
505 (1998)
https://doi.org/10.1109/ICIPRM.1998.712571

M. Chertouk, H. Heiss, D. Xu, S. Kraus, W. Klein, G. Bohm, G. Trankle and G. Weimann
737 (1995)
https://doi.org/10.1109/ICIPRM.1995.522249

Drastic reduction of gate leakage in InAlAs/InGaAs HEMT's using a pseudomorphic InAlAs hole barrier layer

C. Heedt, F. Buchali, W. Prost, et al.
IEEE Transactions on Electron Devices 41 (10) 1685 (1994)
https://doi.org/10.1109/16.324575

InGaAsP channel HFET's on InP for OEIC applications

P. Berthier, L. Giraudet, A. Scavennec, et al.
Journal of Lightwave Technology 12 (12) 2131 (1994)
https://doi.org/10.1109/50.350617

UVCVD dielectric films for InP-based optoelectronic devices

G. Post, Y. Le Bellégo, J.L. Courant and A. Scavennec
Materials Science and Engineering: B 20 (1-2) 134 (1993)
https://doi.org/10.1016/0921-5107(93)90413-H

Y.K. Chung, D.C.W. Lo and S.R. Forrest
393 (1992)
https://doi.org/10.1109/ICIPRM.1992.235580

Gate tunneling current in In0.53Ga0.47As junction field-effect transistors

D. C. W. Lo, Y. K. Chung and S. R. Forrest
Applied Physics Letters 60 (13) 1588 (1992)
https://doi.org/10.1063/1.107260

D.J. Newson, R.P. Merrett and B.K. Ridley
427 (1991)
https://doi.org/10.1109/ICIPRM.1991.147404