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Article cité :

Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactive

R. Carin

Rev. Phys. Appl. (Paris), 25 6 (1990) 489-497

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002506048900

Citations de cet article :

Study of electrical properties of Al/Si3N4/n-GaAs MIS capacitors deposited at low and high frequency PECVD

Wafaa Zibar, Olivier Richard, Asmaa Drighil, et al.
The European Physical Journal Applied Physics 97 60 (2022)
https://doi.org/10.1051/epjap/2022220062

Gallium Nitride (GaN) I

W.A. Bryden and T.J. Kistenmacher
Semiconductors and Semimetals, Gallium Nitride (GaN) I 50 39 (1997)
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GaN films prepared by ECR plasma-assisted deposition

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An XPS study of GaN thin films on GaAs

R. Carin, J. P. Deville and J. Werckmann
Surface and Interface Analysis 16 (1-12) 65 (1990)
https://doi.org/10.1002/sia.740160116