Phénomènes de relaxation dans les structures planes épitaxiales à l'arséniure de gallium P. Rossel, H. Tranduc, J. Graffeuil et C. AziziRev. Phys. Appl. (Paris), 12 10 (1977) 1679-1694DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0197700120100167900
