Dopage du Si amorphe par la méthode de pulvérisation cathodique et propriétés de transport des couches dopées au P et au B Nguyen Van Dong et Tran Quoc HaiRev. Phys. Appl. (Paris), 13 4 (1978) 176-179DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001304017600
