Trap characterization in S. O. S. - M. O. S. transistors using noise measurements A. Touboul, G. Pelloux, G. Lecoy, A.A. Choujaa et P. GentilRev. Phys. Appl. (Paris), 13 5 (1978) 227-231DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305022700
