Influence de la contre-réaction thermique sur l'impédance de sortie des transistors MOS à canaux courts P. Rossel, M. Gamboa, H. Tranduc et H. MartinotRev. Phys. Appl. (Paris), 14 11 (1979) 911-919DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019790014011091100
