Implantation d'azote à fortes doses dans le silicium monocristallin : doses et conditions de recuit pour l'obtention en profondeur d'une couche homogène isolante
Rev. Phys. Appl. (Paris), 15 3 (1980) 647-652
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001503064700