Limitation fondamentale dans les transistors MOS de puissance ; le compromis entre la résistance à l'état passant RON et la tension de claquage VDBR P. Rossel, H. Tranduc, M. Gamboa et T. Phan PhamRev. Phys. Appl. (Paris), 16 9 (1981) 509-515DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01981001609050900
