Le transistor M.O.S. de puissance en régime de saturation : la résistance de saturation et les effets de faible multiplication M. Gamboa, P. Rossel, H. Tranduc et T. Phan PhamRev. Phys. Appl. (Paris), 17 2 (1982) 65-74DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198200170206500
