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Photocurrent and diffusion lengths at the vicinity of grain boundaries (g.b.) in N and P-type polysilicon. Evaluation of the g.b. recombination velocity)

J. Oualid, M. Bonfils, J.P. Crest, G. Mathian, H. Amzil, J. Dugas, M. Zehaf et S. Martinuzzi

Rev. Phys. Appl. (Paris), 17 3 (1982) 119-124

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01982001703011900

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