Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium J.L. Chartier, L. Pilorget et R. Le BihanRev. Phys. Appl. (Paris), 19 11 (1984) 927-931DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011092700
