Vieillissement des transistors MOS submicroniques après contrainte électrique S. Cristoloveanu, B. Cabon-Till, K.N. Kang, P. Gentil et J. GautierRev. Phys. Appl. (Paris), 19 11 (1984) 933-939DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019011093300
