Caractérisation de MOS par des techniques d'analyse de surface en ultra-vide au cours de leur élaboration in situ J.C. Dupuy, B. Vilotitch et A. SibaiRev. Phys. Appl. (Paris), 19 12 (1984) 965-970DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019840019012096500
