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Influence des zones d'accès sur la résistance à l'état passant des transistors moyennes tensions VDMOS de puissance

J.L. Sanchez, H. Tranduc, T. Phan Pham, M. Gharbi, P. Rossel, G. Charitat et B. Vertongen

Rev. Phys. Appl. (Paris), 20 11 (1985) 759-770

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019850020011075900

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