Réalisation et caractérisation d'un transistor à effet de champ JFET au GaAs en vue de son intégration avec une photodiode M. T. Belaroussi, F. Therez et R. AlcubillaRev. Phys. Appl. (Paris), 22 1 (1987) 77-82DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198700220107700
