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Caractérisation physico-chimique et électrique de structures fluorure — semi-conducteur III-V (passivation de GaAs et InP)

A.S. Barrière, A. Chaouki, G. Couturier, T. Seguelong, C. Sribi et P. Alnot

Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 1 (1988) 63-70

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:0198800230106300

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