Croissance de Si3N4 sur GaAs et InP par pulvérisation réactive par faisceau d'ions A. Bosseboeuf et D. BouchierRev. Phys. Appl. (Paris), 23 7 (1988) 1305-1312DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:019880023070130500
