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Réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction (DHBT) GaAlAs/GaAs pour circuits intégrés I2L

J.P. Bailbé, T. Camps, A. Cazarre, J. Jamai, A. Martins, A. Marty, G. Rey, J. Tasselli et J.P. Vannel

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 2 (1989) 171-176

DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002402017100

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