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Recuits, dans un réacteur d'épitaxie, de substrats InP sous atmosphère de PH3, AsH3 ou chlorure d'indium, suivis in situ par ellipsométrie

Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 3 (1989) 351-356
DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002403035100