Recuits, dans un réacteur d'épitaxie, de substrats InP sous atmosphère de PH3, AsH3 ou chlorure d'indium, suivis in situ par ellipsométrie A. Bendraoui, Y. El Younoussi et M. CadoretRev. Phys. Appl. (Paris), 24 3 (1989) 351-356DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002403035100