Caractérisation Raman des contraintes et des défauts d'interface dans GaAs/Si A. Mlayah, R. Carles, G. Landa, C. Fontaine et A. FreundlichRev. Phys. Appl. (Paris), 25 9 (1990) 951-956DOI: https://doi.org/10.1051/rphysap:01990002509095100
