Revue de Physique Appliquée

Passivation of intragrain defects by copper diffusion in p-type polycrystalline silicon

M. Zehaf, G. Mathian, C.M. Singal et S. Martinuzzi

Rev. Phys. Appl. (Paris), 18 9 (1983) 557-560

DOI: 10.1051/rphysap:01983001809055700

M. Zehaf

G. Mathian

C.M. Singal

S. Martinuzzi

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