Revue de Physique Appliquée

Etude de la topographie du travail de sortie du silicium et de l'oxyde de silicium

J.L. Chartier, L. Pilorget et R. Le Bihan

Rev. Phys. Appl. (Paris), 19 11 (1984) 927-931

DOI: 10.1051/rphysap:019840019011092700

J.L. Chartier

L. Pilorget

R. Le Bihan

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