Revue de Physique Appliquée

Improvement of electron diffusion lengths in polycrystalline silicon wafers by aluminium

S. Martinuzzi, H. Poitevin, M. Zehaf et C. Zurletto

Rev. Phys. Appl. (Paris), 22 7 (1987) 645-648

DOI: 10.1051/rphysap:01987002207064500

S. Martinuzzi

H. Poitevin

M. Zehaf

C. Zurletto

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