Revue de Physique Appliquée

Modélisation bidimensionnelle dynamique du transistor à effet de champ MESFET : application à la conception de profils optimisés pour fonctionnement en faible bruit

F. Heliodore, G. Salmer, Y. Druelle, M. Lefebvre et O. El Sayed

Rev. Phys. Appl. (Paris), 23 7 (1988) 1185-1198

DOI: 10.1051/rphysap:019880023070118500

F. Heliodore

G. Salmer

Y. Druelle

M. Lefebvre

O. El Sayed

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