Recuits, dans un réacteur d'épitaxie, de substrats InP sous atmosphère de PH3, AsH3 ou chlorure d'indium, suivis in situ par ellipsométrie
Rev. Phys. Appl. (Paris), 24 3 (1989) 351-356
DOI: 10.1051/rphysap:01989002403035100