Revue de Physique Appliquée

Croissance épitaxique de CoSi2 sur Si(111) étudiée par photoémission

L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont et G. Gewinner

Rev. Phys. Appl. (Paris), 25 9 (1990) 869-885

DOI: 10.1051/rphysap:01990002509086900

L. Haderbache

P. Wetzel

C. Pirri

J.C. Peruchetti

D. Bolmont

G. Gewinner

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