Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 12, Number 6, juin 1977
Page(s) 949 - 954
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01977001206094900
Rev. Phys. Appl. (Paris) 12, 949-954 (1977)
DOI: 10.1051/rphysap:01977001206094900

Propriétés électriques et diélectriques des verres GexSe 1-x

E. Delorme1, P. Tronc1, M. Bensoussan1, A. Brenac1 et C. Sebenne2

1  Centre National d'Etudes des Télécommunications 196, rue de Paris, 92220 Bagneux, France
2  Laboratoire de Physique des Solides, associé au Centre National de la Recherche Scientifique Université P. et M. Curie, Paris, France


Abstract
A set of bulk GexSe1-x glasses, in the composition range of 0 ≤ x ≤ 0.42, has been prepared. Results of systematic measurements of D. C. electrical conductivity as a function of temperature are detailed and discussed. The static dielectric constant is also reported as a function of composition.


Résumé
Une série de verres du système GexSe1- x a été préparée à l'état massif avec des compositions variant régulièrement dans l'intervalle 0 ≤ x ≤ 0,42. Les résultats complets des mesures systématiques de conductivité électrique en continu en fonction de la température sont présentés et discutés. On rapporte également les valeurs de la constante diélectrique statique en fonction de la composition.

PACS
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7280N - Electrical conductivity of amorphous and glassy semiconductors.
7720 - Dielectric permittivity.
0570 - Glasses engineering materials science.
2520F - Amorphous and glassy semiconductors.

Key words
chalcogenide glasses -- electrical conductivity of amorphous semiconductors and insulators -- germanium compounds -- permittivity -- selenium compounds -- Ge sub x Se sub 1 x glasses -- static dielectric constant -- DC conductivity