Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 13, Number 5, mai 1978
Page(s) 232 - 240
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01978001305023200
Rev. Phys. Appl. (Paris) 13, 232-240 (1978)
DOI: 10.1051/rphysap:01978001305023200

Niveaux profonds dans les diodes électroluminescentes GaAs-GaAlAs

B. Balland

Laboratoire de Physique de la Matière, Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France


Abstract
Deep levels have been studied for many GaAs, Ga1-xAlxAs thin film structures (Schottky diodes, p+ n junctions, double hetero-structures) made by L. P. E. Traps are characterized by their density, activation energy and capture cross section. We deduce these parameters from the analysis of deep level transient capacitance spectroscopy spectra. Some of the deep levels detected have been identified as already known ones. An influence of Al concentration on the activation energy has been observed for some ones.


Résumé
Les niveaux profonds ont été étudiés dans différentes structures à couches minces de GaAs, Ga1-xAlxAs (diodes Schottky, jonctions p+ n, doubles hétérostructures) élaborées par L. P. E. Les pièges sont caractérisés par leur densité, énergie d'activation et section efficace de capture. Ces paramètres sont déduits de l'analyse des spectres obtenus par la spectroscopie capacitive transitoire. Un certain nombre de ces centres profonds ont été identifiés à ceux déjà connus. Une influence de la concentration en Al sur l'énergie d'activation a été constatée pour certains d'entre eux.

PACS
7321A - Multilayers.

Key words
Defect states -- Deep level -- Charge carrier trapping -- Defect density -- Capacitance -- Chemical composition -- Thin film -- Aluminium arsenides -- Gallium arsenides -- Activation energy -- Semiconductor materials -- Cross sections -- Experimental study