Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Number 1, janvier 1980
Page(s) 21 - 23
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:0198000150102100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 21-23 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:0198000150102100

Electron spin and cyclotron resonance of laser annealed silicon

A. Goltzené1, J.C. Muller2, C. Schwab1 et P. Siffert2

1  Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, Associé au C.N.R.S. n° 232, Université Louis-Pasteur, 5, rue de l'Université, 67000 Strasbourg, France
2  Centre de Recherches Nucléaires, Groupe de Physique et Applications des Semiconducteurs (PHASE), 67037 Strasbourg Cedex, France


Abstract
EPR and cyclotron resonance investigations have been performed on laser annealed Si wafers, leading to the identification of the [V + O i]- complex in virgin Si and to a donor signal quenching in P-implanted Si.


Résumé
Les mesures de RPE et de résonance cyclotron ont montré que le recuit laser de Si est corrélé à l'apparition de signaux attribués au défaut [V + Oi]- dans le matériau non dopé, et à une forte diminution du signal RPE du donneur dans Si implanté P.

PACS
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
7630M - EPR of colour centres and other defects.
7640 - Diamagnetic and cyclotron resonances condensed matter.
7920D - Laser surface impact phenomena.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.

Key words
annealing -- elemental semiconductors -- laser beam effects -- paramagnetic resonance -- silicon -- cyclotron resonance -- EPR -- laser annealed Si wafers -- donor signal quenching -- electron spin -- defects -- deep levels -- Si:P -- elemental semiconductor