Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Number 2, février 1980
Page(s) 271 - 276
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001502027100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 271-276 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001502027100

Mécanisme de croissance et formation des défauts dans les couches minces en microscopie et diffraction électroniques

M. Froment

Groupe de Recherche n° 4 du C.N.R.S. Physique des Liquides et Electrochimie, associé à l'Université Pierre-et-Marie-Curie, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France


Abstract
The formation of dislocations, stacking faults, double positionning boundaries, twins... is studied according the mechanism of nucleation and growth. Misfit dislocations appearing during layer by layer growth are specially examined. In the case of three-dimensional nucleation the formation of defects during the coalescence of islands is described. The nucleation of paracrystallite clusters which transform during the growth into multi twinned particles is also considered. These twins arrangements are very important for the formation of dendritic and textured films.


Résumé
On étudie la formation des dislocations, défauts d'empilements, parois de double positionnement, macles... en se rattachant au mécanisme de nucléation et de croissance. On examine plus particulièrement le cas des dislocations interfaciales lors de la croissance couche par couche. Dans le cas de la nucléation tridimensionnelle, on étudie les défauts formés par la coalescence des îlots. La nucléation d'agrégats paracristallins se transformant en cristallites multimaclés est aussi considérée. On montre que ces arrangements de macles sont très importants pour la formation de couches à structures dendritique ou texturée.

PACS
6114F - Experimental electron diffraction and scattering.
6116D - Electron microscopy determinations of structures.
6170J - Etch pits, decoration, transmission electron microscopy and other direct observations of dislocations.
6170P - Stacking faults, stacking fault tetrahedra and other planar or extended defects.
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.

Key words
crystal defects -- dislocation structure -- electron diffraction examination of materials -- electron microscope examination of materials -- thin films -- twinning -- stacking faults -- double positioning boundaries -- twins -- nucleation -- growth -- dislocations -- nucleation of paracrystallite clusters -- textured films -- dendritic films -- electron diffraction -- electrons microscopy