Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 15, Number 5, mai 1980
Page(s) 927 - 935
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01980001505092700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 15, 927-935 (1980)
DOI: 10.1051/rphysap:01980001505092700

Simulation numérique des courants et des distributions de porteurs dans les diélectriques contenant des impuretés

G. Ormancey, J.P. Bardet et G. Godefroy

Laboratoire de Diélectriques, Equipe de Physique du Solide , Faculté des Sciences Mirande, 21100 Dijon, France


Abstract
A numerical method is used to resolve transport equations in dielectrics. A model with electrons, holes and impurities is described. Boundary conditions and recombination are discussed. I = f (v) characteristics, potential and carrier distributions on a sample with impurities are described.


Résumé
Une méthode numérique permettant de résoudre les équations de transport dans les diélectriques est présentée. On étudie un modèle avec électrons, trous et impuretés. On discute les conditions aux limites, la recombinaison. On donne les caractéristiques I = f(v), les distributions de potentiel et de porteurs pour un échantillon avec impuretés.

PACS
7220J - Charge carriers: generation, recombination, lifetime, and trapping semiconductors/insulators.

Key words
carrier density -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- electron hole recombination -- numerical methods -- currents -- carrier distributions -- dielectrics -- impurities -- numerical method -- transport equations -- electrons -- holes -- recombination -- characteristics -- potential -- boundary conditions