Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 18, Number 12, décembre 1983
Page(s) 757 - 761
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:019830018012075700
Rev. Phys. Appl. (Paris) 18, 757-761 (1983)
DOI: 10.1051/rphysap:019830018012075700

Epitaxie par jets moléculaires de In0,53Ga0,47As et de InP sur substrats de InP

M. Lambert et D. Huet

Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., route de Nozay, 91460 Marcoussis, France


Abstract
High purity In0.53Ga0.47As layers, lattice matched to InP, have been grown by molecular beam epitaxy (M.B.E.). Residual impurities levels are in the range of 10 15 cm-3 with electron mobilities up to 47 000 cm2/V. s at 77 K. The high quality of the epilayers is obtained by controlling the substrate preparation, the substrate temperature, the arsenic pressure and the baking of the source materials. The layers are characterized by X-ray diffraction, Hall effect and low temperature photoluminescence. Doping levels are controlled between 1016 cm-3 and 10 19 cm-3, with thin for n-type and beryllium for p-type. Our first results on M.B.E. of InP are also reported.


Résumé
Des couches de In0,53Ga0,47As de haute pureté, accordées avec le substrat de InP, ont été épitaxiées par la technique des jets moléculaires (E.J.M.). Les concentrations d'impuretés résiduelles sont de l'ordre de 10 15 cm- 3, avec des mobilités électroniques allant jusqu'à 47 000 cm2/V.s à 77 K. La bonne qualité des couches est obtenue en contrôlant la préparation du substrat, la température du substrat, la pression d'arsenic et le recuit des produits sources. La caractérisation des couches est faite par diffraction de rayons X, effet Hall et photoluminescence à basse température. Les dopages de type n à l'étain et de type p au béryllium sont contrôlés de 1016 cm-3 à 1019 cm-3. Enfin, nos premiers résultats d'E.J.M. de InP sont présentés.

PACS
6855 - Thin film growth, structure, and epitaxy.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
8115G - Vacuum deposition.
0510D - Epitaxial growth.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
gallium arsenide -- III V semiconductors -- impurity electron states -- indium compounds -- molecular beam epitaxial growth -- semiconductor epitaxial layers -- semiconductor growth -- doping levels -- semiconductor -- In sub 0.53 Ga sub 0.47 As -- InP -- molecular beam epitaxy -- impurities levels -- electron mobilities -- substrate preparation -- X ray diffraction -- Hall effect -- low temperature photoluminescence