Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 19, Number 4, avril 1984
Page(s) 343 - 347
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01984001904034300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 19, 343-347 (1984)
DOI: 10.1051/rphysap:01984001904034300

Conduction and charge storage in Cr-thin SiO2-pSi structures

J. Capilla et G. Sarrabayrouse

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S., 7 av. du Colonel Roche, 31400 Toulouse, France


Abstract
It is shown that Cr-SiO2-pSi devices with an SiO2 layer obtained by thermal oxidation in HCl/O2/N2 mixture have uniform and reproducible electrical properties at low injection level. Furthermore the breakdown phenomenon observed at high injection level has been associated with a positive charge storage within the insulator.


Résumé
Il est montré que les structures Cr-SiO2-pSi ayant une couche de silice obtenue par oxydation thermique dans un mélange HCl/O2/N2 ont des caractéristiques électriques uniformes et reproductibles à faible niveau d'injection. De plus, le phénomène de claquage observé à haut niveau d'injection est associé à un stockage de charges positives dans l'isolant.

PACS
7220F - Low field transport and mobility: piezoresistance semiconductors/insulators.
7340Q - Electrical properties of metal insulator semiconductor structures.
7360H - Electrical properties of insulators thin films/low dimensional structures.
2530F - Metal insulator semiconductor structures.

Key words
chromium -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- elemental semiconductors -- insulating thin films -- metal insulator semiconductor structures -- silicon -- silicon compounds -- thin film capacitors -- conduction -- charge storage -- Cr thin SiO sub 2 pSi structures -- Cr SiO sub 2 pSi devices -- SiO sub 2 layer -- thermal oxidation -- low injection level -- breakdown -- positive charge storage -- insulator