Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 20, Number 3, mars 1985
Page(s) 143 - 149
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002003014300
Rev. Phys. Appl. (Paris) 20, 143-149 (1985)
DOI: 10.1051/rphysap:01985002003014300

Etude de résines négatives sensibles aux électrons utilisées dans les procédés de microlithographie

B. Holil1, R. Sagnes1, B. Serre1, F. Schué1, C. Montginoul2, L. Giral2, F. Buiguez3 et C. Rosilio4

1  Laboratoire de Chimie Macromoléculaire, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34060 Montpellier, France
2  Laboratoire de Chimie Organique Structurale, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place E. Bataillon, 34060 Montpellier, France
3  CEA/CENG, LETI/MSC, Av. des Martyrs, 85X, 38041 Grenoble Cedex, France
4  CEA/IRDI/DEIN, Centre d'Etudes Nucléaires de Saclay, 91191 Gif sur Yvette, France


Abstract
Poly(parachloromethylstyrene) and poly(parabromostyrene) are shown to have a desirable combination of properties, inducting high sensitivity, high dry etch resistance, and high resolution. As a consequence, there are very attractive candidates for high performance electron beam lithography.


Résumé
Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure plasma ainsi qu'à une bonne résolution en font des matériaux de choix dans le cadre de la microlithographie à haute performance.

PACS
2550 - Semiconductor device technology.
2550G - Lithography semiconductor technology.
2570 - Semiconductor integrated circuits.

Key words
electron resists -- polymers -- poly parachloromethylstyrene -- electrosensitive negative resists -- microlithography -- poly parabromostyrene -- high sensitivity -- high dry etch resistance -- high resolution -- high performance electron beam lithography