Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 22, Number 5, mai 1987
Page(s) 321 - 329
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002205032100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 22, 321-329 (1987)
DOI: 10.1051/rphysap:01987002205032100

Amplification de puissance en régime non linéaire et en hautes fréquences à transistor MOS

S. Latreche1, G. Tardivo2, M. Belabadia1 et P. Rossel1

1  Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du Centre National de la Recherche Scientifique, 7, avenue du Colonel-Roche, 31077 Toulouse Cedex, France
2  Thomson Semiconducteurs, Centre de Tours, rue Pierre-et-Marie-Curie, 37001 Tours Cedex, France


Abstract
A mathematical model of V.MOS transistor, taking into account the short channel effects and the non-linearities in the transistor is proposed. It enables the study of V.MOS under direct current and small signal conditions. More, it can be used for large signal simulations and it is the base of new procedure for C.A.D. of power radio-frequency amplifiers (V.H.F. band) using power MOS transistors.


Résumé
Un modèle mathématique du transistor V.MOS prenant en compte les effets de canal court et les non-linéarités du composant est proposé. Il est utilisable en régime i) continu, ii) dynamique sinusoïdal petit signal, iü) et il permet, de plus, la simulation du régime alternatif grand signal. Il sert de base à une méthodologie originale permettant la conception et la simulation par ordinateur d'amplificateurs R.F. de puissance (bande V.H.F.) à transistors MOS.

PACS
1220 - Amplifiers.
2560B - Semiconductor device modelling and equivalent circuits.
2560R - Insulated gate field effect transistors.

Key words
insulated gate field effect transistors -- power amplifiers -- power transistors -- radiofrequency amplifiers -- semiconductor device models -- VMOS transistor -- RF amplification -- power MOSFETs -- short channel effects -- direct current -- small signal conditions -- large signal simulations