Issue
Rev. Phys. Appl. (Paris)
Volume 24, Number 2, février 1989
Page(s) 171 - 176
DOI https://doi.org/10.1051/rphysap:01989002402017100
Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 171-176 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:01989002402017100

Réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction (DHBT) GaAlAs/GaAs pour circuits intégrés I2L

J.P. Bailbé, T. Camps, A. Cazarre, J. Jamai, A. Martins, A. Marty, G. Rey, J. Tasselli et J.P. Vannel

Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du CNRS, 7, avenue du Colonel Roche, 31077 Toulouse Cedex, France


Abstract
In this paper, we point out the interest of the double heterojunction bipolar transistor (DHBT). The interchangeability between the emitter and the collector and the use of two heterojunctions confer to the DHBT a great interest for the realization of I2L high-speed integrated circuits. The fabrication process and the DC characteristics of the implanted DHBT are described. The experimental DC results show a symmetric operation either on normal or reverse bias. Indeed, a forward current gain of 280 and a reverse current gain of 40 have been measured. On the other hand, our DHBT exhibits a very low offset voltage ΔVCE ~ 3 mV.


Résumé
Dans cet article, nous montrons l'intérêt du transistor bipolaire à double hétérojonction (DHBT) pour la filière logique rapide I2L (logique à injection). En effet l'interchangeabilité entre l'émetteur et le collecteur et la liberté de conception résultant de l'utilisation de deux hétérojonctions donnent aux DHBT un grand intérêt dans le domaine des circuits intégrés rapides à grande intégration tels que la logique à injection I2L. L'accent est mis sur le comportement en régime statique de dispositifs d'étude, réalisés par les techniques d'épitaxie par jets moléculaires et d'implantation ionique de magnésium. Les résultats les plus intéressants sont l'obtention de dispositifs symétriques présentant un gain en courant en régime de fonctionnement inverse de 40 pour un gain de 280 en régime normal et de tensions de saturation très faibles de l'ordre de 3 mV.

PACS
2570B - Bipolar integrated circuits.
2560J - Bipolar transistors.
1265B - Logic circuits.
2520D - II VI and III V semiconductors.

Key words
aluminium compounds -- bipolar integrated circuits -- gallium arsenide -- heterojunction bipolar transistors -- III V semiconductors -- integrated injection logic -- semiconductor technology -- semiconductor -- double heterojunction bipolar transistor -- I sup 2 L high speed integrated circuits -- fabrication -- DC characteristics -- implanted DHBT -- current gain -- offset voltage -- 3 mV -- GaAlAs GaAs