Rev. Phys. Appl. (Paris) 24, 983-991 (1989)
DOI: 10.1051/rphysap:019890024010098300

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

A. Le Bloa¹, Dang Tran Quan¹, Z. Guennouni¹ et P.N. Favennec<sup>2

1</sup>  Groupe de Physique Cristalline, UA 804 CNRS, Université de Rennes I, Campus de Beaulieu, 35042 Rennes, France
²  Groupement ICM/TOH, Centre National d'Etudes des Télécommunications, Lannion B, 22301 Lannion, France

Abstract
DDLTS results for oxygen low dose implanted GaAs and silicon-oxygen low dose coimplanted GaAs are presented. Three deep level groups are detected in 100-300 K. Activation energy was measured between 0.1-0.6 eV. These deep levels are in relation with crystallizing disorder of GaAs substrate and with complexes formed by implanted ions and crystallizing imperfections.

Résumé
Nous présentons les résultats de l'étude, par la méthode DDLTS, des centres profonds dans les échantillons de GaAs implantés ou co-implantés, à faible dose, en oxygène ou en silicium et oxygène. Trois groupes de centres profonds ont été mis en évidence dans le domaine de températures 100-300 K. Les énergies d'activation du taux d'émission de ces centres sont comprises entre 0,1 et 0,6 eV. Ces centres profonds sont liés soit aux désordres du réseau cristallin du substrat, soit aux complexes formés par les ions implantés et les imperfections de ce réseau.

PACS
6170T - Doping and implantation of impurities.
7155F - Impurity and defect levels in tetrahedrally bonded nonmetals.
6180J - Ion beam effects.

Key words
deep level transient spectroscopy -- deep levels -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- ion implantation -- oxygen -- silicon -- activation energy -- semiconductor -- implantation -- coimplantation -- DDLTS -- crystallizing disorder -- GaAs substrates -- complexes -- crystallizing imperfections -- GaAs:O -- GaAs:Si,O